奉陪AI的崛起，HBM成为巨头们抢占的高地。三星、SK海力士、美光等存储巨头纷纷将HBM视为中心临蓐产物之一。

　　遵循TrendForce数据预测，2024年HBM需求位年伸长率近200%，2025年希望再翻倍。SK海力士与美光曾公然透露，两家2024年的HBM一经售罄，就连2025年的HBM产量也简直被预定一空。

　　求过于供的供需联系背后，HBM供应商们各个赚的盆满钵满。乃至正在前几年存储墟市数个季度延续低迷的态势下，HBM营业仍显示亮眼，成为拉动存储厂商需求提拔的闭节。

　　眼前，HBM墟市体例三分寰宇。稀有据统计，SK海力士霸占突出50%的墟市份额，三星约占40%，美光市占率或不敷10%。若以现阶段主流产物HBM3产物来看，SK海力士于HBM3墟市比重突出9成，三星与美光紧追正在后。

　　然而，除了三巨头以表，HBM对开发墟市带来增量需求。对前道开发而言，HBM须要通过TSV举行笔直倾向衔接，会带头刻蚀开发、PECVD、PVD、ECD和减薄扔光等前道开发增量需求，但相对有限。

　　后道闭节，因为HBM堆叠机闭增加，哀求晶圆厚度不时低落，对减薄、键合等开发需求提拔较大，后道封测开发则存正在量价齐升的逻辑。

　　TC键合机对付HBM临蓐至闭主要，它应用热压将芯片键合和堆叠正在加工后的晶圆上，对HBM的良率有强大影响。因而，TC键合机被以为是HBM修造进程中不行或缺的开发之一，也是HBM海潮中受益较大的闭节之一。

　　为了应对墟市伸长，韩美半导体和三星旗下SEMES等韩国开发公司已获胜竣工HBM的TC键合机国产化，但对海表开发公司的TC键合机的依赖度依然很高，比方日本的新川、东丽，新加坡的Kulicke & Soffa和ASMPT和荷兰的BESI等公司也是TC键合机墟市的强势加入者。

　　据理解，HBM厂商根基已各自创设了TC键合机供应链。三星电子从日本东丽、新川和旗下SEMES取得供货；SK海力士正正在从新加坡ASMPT、韩美半导体和和韩华严紧机器采纳用于HBM的TC键合开发。两家公司自旧年今后向来正在加快当地化劳动，以节减对表国开发的依赖。

　　韩美半导体（Hanmi Semiconductor）创设于1980年，初期临蓐芯片载体模具与封装注塑等塑封开发。2017年最先与SK海力士合伙研发用于HBM封装及2.5D封装的Dual TC Bonder。

　　2017年与SK海力士合伙斥地了TC键合机，为SK海力士的MR-MUF工艺供给开发，该工艺应用犹如粘合剂的质料来键合DRAM芯片。

　　2023年公布新一代Dual TC Bonder超等型号GRIFFIN和高级型号DRAGON，两者皆采用TSV形式修造的半导体芯片堆叠正在晶圆上的双机台键合开发精密机械，可用于眼前HBM用TC的两种闭键处分计划TC+NCF与TC+MUF。同时推出的TC Bonder CW2.0合用于台积电CoWoS工艺，正正在客户处踊跃研造。

　　资金墟市便是一个很好的信号，2022腊尾今后，韩国“妖股”韩美半导体飙升近1200%，放肆的涨势吸引了稠密投资者涌入。本年今后，韩美半导体股价再翻番，成为MSCI亚太指数中显示最好的股票。

　　据理解，韩美半导体正在环球具有五家工场，可竣工客户深度掩盖，而且公司具备170台数控自愿化开发，通过构修策画、组件统治、输入软件、拼装、测试笔直一体化临蓐方法，可加快交付，缩短交付期间，抬高成果。

　　正在供应方面，韩美半导体深度绑定SK海力士，SK海力士HBM扩产带头其TC键合开发需求。

　　据悉，SK海力士计算正在清州工场修造一条新的HBM 临蓐线，将于来岁最先周详运营，其HBM产能估计增加起码两倍，褂讪HBM墟市的指挥位置。此中，韩美半导体被列为产线开发闭键供应商之一，收到SK海力士巨额订单；本年来，SK海力士清州工场还计算正在现有晶圆厂邻近维持一座新晶圆厂（M15X），估计2025年杀青，容易改日增加产能，正在清州可竣工维持第6代HBM（HBM4）临蓐线年竣工量产。因而，韩美半导体开发的延续迭代，改日可深度受益海力士HBM4产线。

　　为了应对HBM墟市需求，韩美半导体TC Bonder计算再扩产，加紧供应才华。据悉，韩美半导体新工场位于仁川市，运用已具有的五家工场中的第三家。该工场总面积2万多平方米，原用于公司开发的拼装和测试，现已转型为特意临蓐双TC键合机和其他TC键合机的工场，该工场具有大型清白室，可同时拼装和测试约50台半导体开发，为Dual TC Bonder的临蓐供给了优化的情况。

　　奉陪新工场的开业，希望餍足墟市上对双 TC 键合机开发日益伸长的需求，确保正在HBM需求激增靠山下，主要零部件的安闲供应。

　　本年6月，SK海力士与韩美半导体缔结了代价1500亿韩元的TC键合开发供应合同，后者从SK海力士取得的HBM TC键合机订单累计金额已达3587亿韩元。一台TC键合机价值约20亿韩元。

　　别的，正在本年4月，美光也向韩美半导体供给了代价226亿韩元的TC Bonder采购订单，这一方法不但加紧了两边的配合联系，也表示了美光对付供应链安闲性和牢靠性的高度注重。通过与韩美半导体的配合，美光将不妨更好地应对墟市需求的变更，确保HBM3E产物的安闲供应。

　　韩美半导体正在大幅扩展其半导体后端工艺开发产物组合的同时，还计算于2026年推出“羼杂键合”开发。

　　目前韩美半导体已取得来自SK海力士和美光的的 HBM 键合开发订单，估计改日还将扩充其他客户订单。韩美半导体首席推行官Kwak Dong-shin透露：“目前已将本年的贩卖主意抬高到6500亿韩元，来岁抬高到1.2万亿韩元，2026年抬高到2万亿韩元。”

　　有领悟师预测，因为对TC键合机的需求不时伸长和产能不时增加，韩美半导体来岁的产能将从本年的每月22台增加到每月35台。

　　SEMES临蓐针对TC-NCF工艺优化的TC键合机，并将其供应给三星，该工艺涉及每次堆叠芯片时铺设薄膜质料。

　　只管韩美半导体目前具有技艺上风，但SEMES正正在急迅缩幼差异。正在TCB技艺和工艺良率方面博得的功劳使SEMES正在一年内出货了100台TC键合开发。并踊跃斥地羼杂键合（Hybrid Bonding）开发。

　　本年4月，三星应用子公司SEMES的羼杂键合开发获胜造造了HBM 16H样品，并验证了其平常运作。

　　据韩媒Deal Site报道，SEMES的技艺冲破与三星事迹提拔的协同效应希望大幅巩固，三星HBM产量希望大幅扩充，希望为SEMES带来巨额开发订单，带头营收伸长，并变成技艺加入的良性轮回。

　　2021年，三星的强劲显示激动SEMES成为韩国首家营收冲破3万亿韩元的半导体开发公司。三星计算正在2024年将HBM产能抬高至2023年的三倍，这对SEMES来说无疑是一大利好。

　　SEMES的主意是正在2024年实实际现TC键合机贩卖额突出2500亿韩元，约为2023年的2.5倍。

　　跟着网罗三星正在内的多家存储芯片厂商抬高HBM产能，迭代HBM产物，估计SEMES公司TCB开发的团体收入将上升。只是，目前三星仍正在很大水平上依赖东丽、Shinkawa（新川）等日本公司的开发，借使SEMES要念提拔事迹，还需进一步加紧开发投资和斥地的多元化。

　　举动SK海力士正在HBM成长中的TCB主力厂商 , 向来与SK海力士荣辱与共的韩美半导体, 不才一代TCB开发上则遭遇韩华严紧机器（Hanwha Precision Machinery）与ASMP的竞赛。

　　据韩媒报道，SK海力士将正在2024年下半进货30多台用于12层第五代HBM（HBM3E）的可举行加热回流的TC键合机。

　　但韩美半导体最新的第四代开发「Dual TC Bonder Tiger」尚未正在SK海力士一律竣工hMR的demo ，无法推行加热质料回流工艺，正正在革新开发功用，且取得临蓐成果须抬高的评议；ASMPT开发的hMR造程质料虽正在评议方面优于韩美半导体，但有声响透露ASMPT开发尺寸较大，ASMPT也正按照SK海力士的哀求革新开发。

　　然而韩华严紧机器TCB开发样品的测试结果优于韩美半导体，韩华严紧机器于6月10日与SK海力士缔结条约，将向SK海力士供应两台TC键合机，该开发由两边配合斥地，比来已通过表部质料测试。韩华的两台开发用于评估，尚未加入临蓐。SK海力士计算正在7月底之前评估其装备键合机的临蓐线。借使键合机通过临蓐线评估，SK海力士估计将正在本年下半年批量订购。

　　惹起表界闭心的是，这是韩华严紧机器初次供应TCB开发给SK海力士的HBM临蓐线。业界人士指出，SK海力士修造部分自韩华严紧机器修造开发阶段加入，假使韩华严紧机器不行通过SK海力士测试江南电竞，SK海力士TCB开发仍会走向双造度、三分面子。

　　今日，ASMPT与美光公司公告了一项主要的配合，ASMPT已向美光供给了专用于HBM临蓐的TC键合机，两边将联袂斥地下一代键合技艺，以撑持HBM4的临蓐。

　　这一配合记号着ASMPT正在半导体后端修造开发范畴的当先位置获得了进一步褂讪，同时也显示出美光对付前沿内存技艺的延续探索和加入。

　　美光举动内存行业的领军企业，向来极力于激动内存技艺的革新和成长。除了与ASMPT的配合表，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购了TC键合机，用于临蓐眼前的HBM3E产物。

　　受益于人为智能的焕发成长，先辈封装开发成为ASMPT的闭键伸长动力，公司热压式固晶（TCB）开发、羼杂键合式固晶（HB）开发可普及利用于AI加快卡的2.5D/3D封装和HBM的3D堆叠封装。

　　截止24Q1季报，ASMPT的TCB产物一经利用于头部晶圆代工场C2S和C2W工艺，并导入头部HBM厂商用于12层HBM堆叠。HB开发亦正在2023年取得用于3D封装的2台订单，并正在与客户斥地下一代HB产物。

　　家喻户晓，除了ASMPT表，美光向来正在应用日本新川和东丽的TC键合机，两家公司都是TC键合机行业的守旧加入者。

　　别的，据韩媒TheElec旧年12月报道，三星已向日本新川公司（Shinkawa）订购了16台2.5D键合开发。报道引述音问人士称，目前三星已收到7台开发，或者正在须要时申请盈利的开发。这很或者是为了给英伟达下一代的AI芯片供给HBM3和2.5D封装供职江南电竞。

　　然而，据音问人士败露，因为新川半导体正正在向其最大客户三星电子供应TC键合机，导致无法实时餍足美光的需求。与韩国闭键竞赛敌手比拟，美光向来因产能不敷而受到褒贬。

　　因而，美光决议扩充韩美半导体举动第二供应商，生机通过与跟多开发厂商的交往加快HBM产能的扩张。

　　别的，荷兰企业BESI也正在踊跃斥地TC键合开发，以及一系列开发闭节厂商都正在踊跃安置，以餍足墟市对高本能内存封装技艺的需求。

　　眼前HBM竣工多层DRAM互联的闭键处分计划为TC-NCF与MR-MUF两种。

　　TC+NCF工艺中先应用非导电薄膜填充DRAM die微凸点侧的微凸点间空位，之后应用热压键合工艺衔接两层die，三星和美光闭键应用该种计划；TC+MR MUF，批量回流模造底部填充是SK海力士的高端封装工艺，通过将芯片贴附正在电途上，正在堆叠时，正在芯片和芯片之间应用一种称为液态环氧树脂塑封的物质填充并粘贴。

　　TC-NCF和MR-MUF各有优劣势。比拟回流焊接，热压焊接能够更有用地掌握芯片翘曲度等，可是精密机械，因为MR-MUF是一次性落成凸块间的电气衔接和芯片间的机器衔接，TC-NCF须要正在每一层堆叠时都举行电气和机器衔接。比照NCF，MUF能有用抬高导热率，并革新工艺速率和良率。

　　因为墟市对HBM产物需求不时扩充，估计改日将须要12-16层乃至更高的多芯片堆叠技艺。为了竣工这一主意，不但须要减幼芯片的厚度和凸块电极的尺寸，还须要去除芯片之间的填充物。对此，羼杂键合技艺（Hybrid Bonding）能够大幅缩幼电极尺寸，从而扩充单元面积上的I/O数目，进而大幅低落功耗。

　　与此同时，羼杂键合形式能够明显缩幼芯片之间的间隙，由此竣工大容量封装。别的，它还能够革新芯片散热本能，低落芯片厚度，有用地处分因耗电量扩充而惹起的散热题目。

　　羼杂键合成为大厂结构的下一代键合技艺，其能够分为W2W和D2W，前者由于临蓐成果上等上风而贸易化水平对照高，后者至今只要AMD某款芯片一个利用场景，能够节减奢华。

　　三星电子正在2024年IEEE国际聚会上公布了一篇韩文论文，详明阐发了其正在HBM范畴博得的强大冲破。该论文雅确指出，为了竣工16层及以上的HBM内存堆叠，必需采用羼杂键合技艺，称这一革新技艺将引颈内存封装范畴的新潮水。三星计算于2025年修造HBM4样品，该样品将采用16层堆叠策画，并估计于2026年竣工量产。

　　另一边，SK海力士也计算于2026年正在其HBM临蓐中采用羼杂键合，目前半导体封装公司Genesem已供给两台下一代羼杂键合开发安置正在SK海力士的试验工场，用于测试羼杂键合工艺。羼杂键合破除了铜焊盘之间应用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片修造商能够装入更多芯片举行堆叠，并扩充带宽。

　　能够猜念，若改日羼杂键合技艺正在HBM上得以利用，羼杂键合开发墟市范围将会有显明扩容。开发公司也正在配合三星和SK海力士等HBM供应商踊跃结构羼杂键合技艺，以低落技艺途途变更带来的产物取代危害。

　　由于正在淘金热中，铲子是必不行少的临蓐用具，不管你有没有挖到金子，淘金的热度越大，卖出的铲子就越多。

　　对应到当今时期，前几年大火的比特币，挖矿的不愿定获利，但卖矿机的是妥妥赚到了；造车新实力还没有红利精密机械，宁德时期市值早已破万亿；国内车规芯片还未卷出眉目，车规认证机构已赚的盆满钵满...，如许的例子再有良多。

　　目前，AI高潮崛起，科技巨头浪费本钱放肆涌入，终端大模子陷入“百团大战”，偶尔分不出输赢江南电竞。而英伟达、AMD等为代表的上游算力举动“卖铲人”脚色，早已率先受益于AI海潮。HBM江南电竞的无意赢家